发明名称 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterschichten
摘要
申请公布号 DE4329268(C2) 申请公布日期 1996.03.07
申请号 DE19934329268 申请日期 1993.08.31
申请人 DEUTSCHE FORSCHUNGSANSTALT FUER LUFT- UND RAUMFAHRT E.V., 53111 BONN, DE 发明人 KLOSE, MANFRED, DR., 70569 STUTTGART, DE;BRIEGER, MICHAEL, DR., 70437 STUTTGART, DE;ALLENSPACHER, PAUL, DIPL.-ING.-CHEM., 73265 DETTINGEN, DE
分类号 C23C14/28;(IPC1-7):H01L21/203;C30B23/06 主分类号 C23C14/28
代理机构 代理人
主权项
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