发明名称 MOS controlled power semiconductor device for high voltages
摘要 Bei einem MOS gesteuerten Leistungshalbleiterbauelement mit einer Vielzahl von Kathodenzellen wird der Flächenanteil der Kathodenzellen an der totalen Bauteilfläche bei zirkulärer Zellgeometrie zwischen 0.1% und 10%, bei streifenförmiger Zellgeometrie zwischen 0.4% und 40% gewählt. Dadurch kann die durch kleine Induktivitäten hervorgerufene Schwingungsneigung verringert werden. <IMAGE>
申请公布号 EP0697736(A2) 申请公布日期 1996.02.21
申请号 EP19950810473 申请日期 1995.07.20
申请人 ABB MANAGEMENT AG 发明人 BAUER, FRIEDHELM, DR.
分类号 H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L29/74
代理机构 代理人
主权项
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