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发明名称 MAKING METHOD OF SEMICONDUCTOR IC CIRCUIT
摘要
申请公布号 KR960000722(B1) 申请公布日期 1996.01.11
申请号 KR19920002109 申请日期 1992.02.13
申请人 TOSHIBA K.K.;TOSHIBA MICRO ELECTRONICS K.K. 发明人 SAEKI, YUKIHIRO;MATSUMOTO, OSAMU;YOSIDA, MASAYUKI;MITSUTANI, DAKAHIDE;CHIDA, NOBUYOSHI;SIKEMATSU, DOMOHISA;UEMURA, DERUO;DOYODA, GENJI;DAKAMURA, HIROYUKI
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/82 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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