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发明名称 Schaltungsanordnung zum Schutz vor Verpolungsschäden für Lastkreise mit einem MOS-FET als Schalttransistor
摘要
申请公布号 DE3741394(C2) 申请公布日期 1996.01.11
申请号 DE19873741394 申请日期 1987.12.07
申请人 SIEMENS AG, 1000 BERLIN UND 8000 MUENCHEN, DE 发明人 RABL, HELMUT, DIPL.-ING., 8000 MUENCHEN, DE
分类号 H02H11/00;H03K17/082;(IPC1-7):H03K17/082;H02H7/20;H03K17/06;H03K17/687 主分类号 H02H11/00
代理机构 代理人
主权项
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