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发明名称 Verfahren zum Bilden einer Feldoxidschicht eines Halbleiterbauteils
摘要
申请公布号 DE4109184(C2) 申请公布日期 1995.12.21
申请号 DE19914109184 申请日期 1991.03.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., KYUNGKI-DO, KR 发明人 PAEK, WEON-SIK, SEOUL/SOUL, KR;JANG, TAEK-YONG, SEOUL/SOUL, KR;CHOI, WEON-TAEK, SEOUL/SOUL, KR
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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