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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Kontaktes auf einer Halbleitereinrichtung und nach dem Verfahren hergestellte Halbleitereinrichtung.
摘要
申请公布号 DE68923047(T2) 申请公布日期 1995.11.30
申请号 DE1989623047T 申请日期 1989.08.02
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 HIGUCHI, TAKAYOSHI, C/O INTELL. PROP. DIV., MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L21/768;H01L21/60;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/60;H01L21/311 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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