MOS-Bauteile mit einer verbesserten elektrischen Anpassung.,申请号DE19906019698T-传众专利搜索

发明名称	MOS-Bauteile mit einer verbesserten elektrischen Anpassung.
摘要
申请公布号	DE69019698(T2)	申请公布日期	1995.11.23
申请号	DE19906019698T	申请日期	1990.11.23
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	GABARA, THADDEUS JOHN, SCHNECKSVILLE, PENNSYLVANIA 18078, US;METZ, PETER C., EMMAUS, PENNSYLVANIA 18049, US
分类号	H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088;H01L27/118;(IPC1-7):H01L27/02;H01L29/423	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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