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发明名称 Halbleiterbauelement mit einer Siliziumsäulen-Transistorstruktur mit ringförmig umgebendem Gate sowie Verfahren zu dessen Herstellung
摘要
申请公布号 DE4418352(A1) 申请公布日期 1995.11.16
申请号 DE19944418352 申请日期 1994.05.26
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 KIM, HYOUNG-SUB, SUWON, KR
分类号 H01L21/76;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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