发明名称 Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Bornitridschicht.
摘要
申请公布号 DE69109329(T2) 申请公布日期 1995.10.19
申请号 DE19916009329T 申请日期 1991.02.14
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., OSAKA, JP 发明人 KIMOTO, TUNENOBU, C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP;TOMIKAWA TADASHI, C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP;FUJITA, NOBUHIKO, C/O ITAMI WORKS OF SUMITOMO, ITAMI-SHI, HYOGO-KEN, JP
分类号 C23C16/34;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/02;C30B25/14;C30B29/38;(IPC1-7):C30B25/02;C30B29/40 主分类号 C23C16/34
代理机构 代理人
主权项
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