发明名称 电位移转电路
摘要 一种电位移转电路,用以将一第一高/低电位准位之输入讯号,转换为一第二高/低电位准位之输出讯号,该电位移转电路包括:一前级电路,接受输入讯号,经电位准位判断后,于一对高/低电位比较讯号端输出比较讯号;一缓冲电路,接受前缘电路之比较讯号,转换并产生输出讯号;以及,一回授电路,自缓冲电路取得输出讯号产生回扰,并耦接前级电路,以预存电位方式,提供缓冲电路转态推力,促缓冲电路迅速切换,加快转态速度。由于电路避免直流电流通路,能有效降低功率消耗,并具有提供任何电位转换,电位转态率快及电路简单之优点。
申请公布号 TW258399 申请公布日期 1995.09.21
申请号 TW083211293 申请日期 1994.08.04
申请人 大衆电脑股份有限公司 发明人 林妙玲;高文彬
分类号 H03K5/01;H03K19/175 主分类号 H03K5/01
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1. 一种电位移转电路,用以将一第一高/低电位准 位之 输入讯号,转换为一第二高/低电位准位之输出讯 号,该 电位移转电路包括: 一前级电路,接受该输入讯号,经电位准位判断后, 于一 对高/低电位比较讯号端输出比较讯号; 一缓冲电路,接受该前级电路之比较讯号,转换并 产生该 输出讯号;以及一回授电路,自该缓冲电路取得该 输出讯 号产生回授,并耦接该前级电路,以预存电位方式, 提供 该缓冲电路转态推力,促该缓冲电路讯速切换,加 快转态 速度。2. 如申请专利范围第1项所述之电位移转电 路,其中,各 该电路组成包括: 该前级电路系藉一对PMOS及NMOS,电晶体以闸极相 耦 接而接受输入讯号,该PMOS源极耦接第一高电位电 源,将 低电位输入讯号转换成高电位比较讯号,自汲极输 出,该 NMOS源极耦接第一低电位电源,将高电位输入设号 转换成 低电位比较讯号,从汲极输出; 该缓冲电路由一对PMOS及NMOS电晶体以汲极耦接 提供 输出讯号,该PMOS电晶体源极耦接第二高电位电源, 自闸 极输入低电位比较讯号,予以启动而提供高电位输 出讯号 ;该NMOS电晶体源极耦接第二低电位电源,自闸极输 入高 电位比较讯号,予以启动而提供低电位输出讯号; 该回授电路以一对PMOS及NMOS电晶体闸极耦接取 得输 出讯号形成回授,而一电容器跨接高/低电位比较 讯号端 ,用以贮存电荷,预存电位,加速该缓冲电路之电晶 体启 动及关闭,并以该PMOS电晶体之汲极耦接低电位比 较讯号 端,源极耦接第二高电位电源,提供电流通路予该 讯号端 ;以该NMOS电晶体之汲极耦接高电位比较讯号端,源 极耦 接第二低电位电源,提供电流通路予该讯号端。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之电位移转电 路, 其中该第二高电系大于等于该第一高电位,该第二 低电位 系小于等于该第一低电位。图示简单说明: 第1图是一传统电位移转电路,以比较器为主体之 电路图 。 第2图是依照本创作一种低消耗功率、任意电位准 位转换 及快速的电位移转电路之电路图。 第3图是依照第2图之电路所做的时序图(Timing Diagram)
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