| 摘要 |
<p>Halbleiterwafer, die zur Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden sollen, müssen eine möglichst perfekte Oberfläche als Grundlage für nachfolgende Prozesse aufweisen. In einer fluoridhaltigen Elektrolytlösung wird bei angelegtem anodischen Potential ein elektrolytisches Glätten an flachen Si-Körpern aus n-Si unter Bestrahlung der zu behandelnden Oberflächen mit Licht, dessen Energie mindestens gleich der der Bandlücke ist, oder solchen aus p-Si in dunkler Umgebung, durchgeführt und elektroanalytisch hinsichtlich des Auftretens einer periodischen Stromoszillation überwacht. Während der Dauer weniger solcher Stromoszillationen findet die Glättung der Oberfläche statt. Die Behandlung umfaßt insbesondere anodisches Oxidieren und elektrochemisches Ätzen der Oberfläche, gegebenenfalls auch Elektropolieren, und führt bei der unmittelbar, während der Dauer des sich einstellenden transienten Dunkelstromes anschließenden Wasserstoffterminierung zu hoher, durch die Grenzflächenzustandsdichte charakterisierten elektronischen Qualität.</p> |
