发明名称 | 静电电容型传感器及其制造方法 | ||
摘要 | 把KBr等碱金属卤化物材料2熔融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后,用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去,贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。 | ||
申请公布号 | CN1107970A | 申请公布日期 | 1995.09.06 |
申请号 | CN94119861.8 | 申请日期 | 1994.12.07 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 林重德;鸟井秀雄;鎌田健;平尾孝 |
分类号 | G01L1/14 | 主分类号 | G01L1/14 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗宏;吴大建 |
主权项 | 1、静电电容型传感器,具有以下构成部分:在厚度方向上具有贯通孔的绝缘体板;在上述绝缘体板的一个表面上设置的并至少覆盖上述贯通孔的导电性薄膜;在上述绝缘体板另一表面上设置的并至少覆盖上述贯通孔的电极层;以及与上述电极层一起支撑上述绝缘体板的基体。 | ||
地址 | 日本大阪府门真市 |