| 主权项 |
1.一种处理及储存表面安装倒装晶片基片之方法, 包含下 列步骤: 制成一晶片载体基片; 使用焊料连接将一倒装晶片直接连接至晶片载体 基片,而 晶片与基片分开一容积; 在随后表面安装期间,焊料回流连接时,藉由防止 足够湿 度自周围大气扩散进入封装剂,致使在回流焊接时 形成变 形虫,而防止变形虫之形成。2.一种制造互相连接 组合件之方法,包含下列步骤: 制成一晶片载体基片; 使用焊料连接将一倒装晶片直接连接至晶片载体 基片,而 晶片与基片分开一容积; 用有机材料封装倒装晶片与载体基片间之该容积, 以保护 焊料连接处; 使一电路板设有一阵列之表面触点,以供晶片载体 之表面 安装连接; 将晶片载体基片回流焊接至电路板之表面连接处; 在回流焊接时,防止足够湿度扩散进入封装剂,致 使在回 流焊接时形成变形虫,而藉以防止形成变形虫。3. 一种制造资讯处理系统之方法,包含下列步骤: 制成一晶片载体基片; 使用焊料连接将一倒装晶片直接连接至晶片载体 基片,而 晶片与基片分开一容积; 用有机材料封装倒装晶片与载体基片间之容积,以 保护焊 料连接处; 使一电路板设有一阵列之表面触点,以供晶片载体 之表面 安装连接; 将晶片载体基片回流焊接至电路板之表面触点; 防止足够湿度扩散进入封装剂,致使在回流焊接时 形成变 形虫,而藉以防止形成变形虫; 将电路板安装于包壳中; 将供与电脑周边设备连通之信号I/O装置连接至电 路板; 将电源装置连接至电路板。4.根据申请专利范围 第1项之方法,其中防止形成变形虫 之步骤包括在回流前以升高之温度储存晶片载体 。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中升高之温 度至少 约为40℃。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中 防止形成变形虫 之步骤包括在回流前将晶片载体储存在密封之近 似气密袋 中。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中密封袋 也含有乾 燥剂。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中防止 形成变形虫 之步骤包括以温度至少约为100℃烘烤晶片载体至 少约12 小时。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中以温 度约为125℃ 烘烤晶片载体约24小时。10.根据申请专利范围第1 项之方法,其中防止形成变形虫 之步骤包括在晶片由于制造或以升高之温度烘烤 而已暴露 于周围大气超过一星期以前,将晶片载体回流焊接 至电路 板。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中制成 载体基片包 括制成一层陶瓷材料。12.根据申请专利范围第1项 之方法,其中制成载体基片包 括层压数挠性层聚醯亚胺及铜箔。13.根据申请专 利范围第1项之方法,其中制成载体基片包 括形成一藉纤维加强之刚性有机材料板。14.根据 申请专利范围第13项之方法,其中纤维包括纤维 玻璃。15.根据申请专利范围第2项之方法,其中防 止形成变形虫 之步骤包括在回流前将晶片载体储存在密封之近 似气密袋 中。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中密封 袋也含有 乾燥剂。17.根据申请专利范围第2项之方法,其中 防止形成变形虫 之步骤包括以温度至少约为100℃烘烤晶片载体至 少约12 小时。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中以 温度约为125 ℃烘烤晶片载体约24小时。19.根据申请专利范围 第3项之方法,其中防止形成变形虫 之步骤包括在回流前将晶片载体储存在密封之近 似气密袋 中。20.根据申请专利范围第2项之方法,其中防止 形成变形虫 之步骤包括依暴露于湿度状况而烘烤互相连接结 构。图示简单说明: 图1示本发明之用以处理/储存晶片载体,以防止变 形虫之 方法之实施例。 图2示本发明之用以制造互相连接结构之方法之另 一实施 例。 图3示用以制造本发明之资讯处理系统之方法。 图4为本发明之一种特定实施例之示意部份剖面图 ,示一 倒装晶片有封装之C4连接至一有机晶片载体之顶 部,并有 栅格阵列焊料球连接至电路板之一部份。 图5为图4之特定实施例之示意部份剖面图,示一晶 片之被 至晶片载体之封装C4连接所附着之一部份。 图6为图5之倒装晶片沿6-6线之剖面图,示C4连接处 间之 变形虫桥接之。 图7为本发明之特定实施例之示意部份剖面图,示 一倒装 晶片有封装C4连接至一有机晶片载体之底部,并有 栅格阵 列焊料球连接至电路板之一部份。 图8为本发明之特定实施例之示意部份剖面图,示 一倒装 晶片有封装C4连接至一陶瓷晶片载体,并有焊料柱 连接至 电路板之一部份。 图9为本发明之另一特定实施例之示意部份剖面图 ,示一 倒装晶片有封装C4连接在一挠性晶片载体之顶部, 并有栅 格阵列焊料球连接至电路板之一部份。 图11略示本发明之一种特定实施例,其中倒装晶片 附着至 一有引线之晶片载体。 |
