AlGaAs-Elektrolumineszierende Diode mit doppelten Heteroübergang und mit p-Typ nach oben.
摘要
申请公布号
DE68921805(T2)
申请公布日期
1995.07.13
申请号
DE19896021805T
申请日期
1989.07.03
申请人
HEWLETT-PACKARD CO., PALO ALTO, CALIF., US
发明人
SNYDER, WAYNE L., PALO ALTO CALIFORNIA 94306, US;DEFEVERE, DENNIS C., PALO ALTO CALIFORNIA 94303, US;STERANKA, FRANK M., SAN JOSE CALIFORNIA 95131, US;TU, CHIN-WANG, CUPERTINO CALIFORNIA 95014, US
