发明名称 Halbleiterherstellungsverfahren unter Verwendung eines Maskenersatzes und dotierstoffundurchlässiger Gebiete.
摘要
申请公布号 DE3750909(T2) 申请公布日期 1995.05.11
申请号 DE19873750909T 申请日期 1987.03.23
申请人 ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC., BEND, OREG., US 发明人 HOLLINGER, THEODORE G., BEND OREGON 97702, US
分类号 H01L21/68;H01L21/033;H01L21/266;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/24;H01L21/225 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人
主权项
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