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发明名称 Halbleitervorrichtung mit Kaskaden-modulations-dotierten Potentialtopf-Heterostrukturen.
摘要
申请公布号 DE69015228(T2) 申请公布日期 1995.05.04
申请号 DE19906015228T 申请日期 1990.02.23
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 BAR-JOSEPH, ISRAEL, REHOVOT, 76100, IL;CHANG, TAO-YUAN, LINCROFT, NEW JERSEY 07738, US;CHEMLA, DANIEL S., RUMSON, NEW JERSEY 07760, US
分类号 G02F1/015;G02F1/017;H01S5/00;(IPC1-7):G02F1/015 主分类号 G02F1/015
代理机构 代理人
主权项
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