| 发明名称 | 溅射电极 | ||
| 摘要 | 一种具有矩形平板靶(1)并配置磁铁(18)使磁力线(16)相对靶(1)表面平行通过的溅射电极，通过配置能使磁力线(16)方向作180度变更的构件(17)，在溅射中重复翻转磁路(15)的极性，使磁场与电场产生的电子螺旋运动(19)不只限于一个方向，从而能抵消等离子的不均匀性，提高所形成薄膜在衬底面内、分批操作间的膜厚及膜质的均匀性，提高靶的利用率，并能进行快速且有效的强磁体靶的溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN1100151A | 申请公布日期 | 1995.03.15 |
| 申请号 | CN94106284.8 | 申请日期 | 1994.06.15 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山西;青仓勇;末光敏行;滝澤贵博 |
| 分类号 | C23C14/35 | 主分类号 | C23C14/35 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 汪瑜 |
| 主权项 | 1、一种溅射电极，具有矩形平板靶，并配置磁铁，使磁力线平行通过上述矩形平板靶表面，其特征是具有使上述磁铁极性翻转的构件，用来使平行通过上述矩形平板靶表面的磁力线的方向变更180度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||