| 发明名称 |
Highly integrated semiconductor memory device and the fabrication method thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2252447(B) |
申请公布日期 |
1995.02.15 |
| 申请号 |
GB19910008852 |
申请日期 |
1991.04.25 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
JI-HONG * AHN |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L29/92 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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