半导体薄膜制造方法以及磁电变换元件的制造方法

摘要

本发明的半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，由氢终止表面硅悬空键的工序；在该氢终止Si单晶基板上形成Al、Ga、In中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含In与Sb的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该淀积层上形成至少含In与Sb的半导体薄膜的工序。本发明还包括加工上述方法所得半导体薄膜，在其上设电极的磁电变换元件制造方法。

主权项

1、一种半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，并由氢原子使表面硅的悬空键终止的工序；在该氢终止基板上形成由铝、镓、铟中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含铟与锑的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成至少含铟与锑的半导体薄膜的工序。