| 主权项 |
1.一种自动对准沟槽式接触导接的金氧半场效电 晶体积体 电路,包括:一矽基底;至少二闸极,分别绝缘地形成 于 上述矽基底上,且上述闸极上形成有遮蔽物,同时 上述闸 极的侧边形成有间隔物;至少一源/汲极区,形成于 上述 闸极之间的矽基底;以及至少一导电层,形成于上 述间隔 物之间而与上述源/汲区接触;其特征在于:于上述 间隔 物之间的矽基底形成有沟槽,且上述源/汲极区包 围上述 构槽,同时上述导电层经由上述沟槽而与上述源/ 汲极区 接触。2.如申请专利范围第1项所述之自动对准沟 槽式接触导接 的金氧半场效电晶体积体电路,其中,上述导电层 为复晶 矽。3.如申请专利范围第1项所述之自动对准沟槽 式接触导接 的金氧半场效电晶体积体电路,其中,上述导电层 包括复 晶矽及矽化钨。4.如申请专利范围第1项所述之自 动对准沟槽式接触导接 的金氧半场效电晶体积体电路,其中,上述导电层 为金属 。5.如申请专利范围第4项所述之自动对准沟槽式 接触导接 的金氧半场效电晶体积体电路,其中,上述导电层 更包括 扩散障碍金属垫层。6.如申请专利范围第5项所述 之自动对准沟槽式接触导接 的金氧半场效电晶体积体电路,其中,上述扩散障 碍金属 垫层为氮化钛/二矽化钛层。第1a至1d图是剖面示 意图, 绘示一种习知SAC制程的流程。第2a至2c图是剖面示 意图 ,绘示依照本创作一较佳实施例,一种新颖自动对 准沟槽 式接触导接(Self-Aligned Trenched Contact;SATC)制 程的流程。第3a和3b图是剖面示意图,绘示依照本 创作的 |
