半导体装置

摘要

由闸(gate)电极23及源极领域24及汲极领域25所组成之电晶体(transistor ，TR)及存在于局部氧化膜26上之强介电体电容器(capacitor ，C)之构造体。这构造体具有强介电体膜29及挟置此膜之上部电极32和下部电极28，下部电极28与源极领域24是藉导电性反应防止膜35和由铝所作成之配线电极34作成积层形式以相互连接，导电性反应防止膜35是由氮化钛(TiN)，矽化钼(MoSi)，钨(W)等所作成，配线电极形成后，为改善特性而作退火(anneal)处理，于最终保护膜形成期间，配电电极34与上部电极32不会产生反应而形成具有良好强介电体膜特性之高性能，高积体密度之强介电体记忆体(memory)。

主权项

1.一种半导体装置,具有形成在半导体基板上之主动元件,由形成在半导体基板上之主动元件,由形成在半导体基板上而以PZT,PLZT,SrTiOC_ 3C为主成分之介电体而成之电容器,用以连接主动元件与电容器而以Pt,Pd,Au之任一种为主成分之配线电极,该配线电极系经由导电性反应防止膜而连接于电容器为特征者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该导电性反应膜与形成在半导体基板之表面上或内部之扩散层接触层接触之界面,形成有金属矽化物者。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体装置,其中该导电性反应防止膜系Mo, W,Ti, Ta, Ru, Re之高融点金属膜,Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re之高融点金属矽化物膜,Mo, W, Ti, Ta, Ru, Re之高融点金属氮化膜,Mo, W, Ti, Ta, Ru,Re之高融点金属氧化膜,Mo,W,Ti,Ta,Ru,Re之高融点金属氮化氧化膜,及这些之复合膜中之任一种。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该金属矽化物膜系Mo, W, Ti Ta,Ru, Re之高融点金属矽化物膜及这些之复合膜中之任一种。图1系本发明实施例1之主要平面图。图2系本发明实施例1之主要断面图。图3系本发明实施例1之变形例之主要断面图。图4系本发明实施例2之主要断面图。图5系本发明实施例3之主要断面图。图6系本发明第2方法之实施例4的主要平面图。图7系本发明第2方法之实施例4的主要断面图。图8示出不挥发性记忆体之回路图。图9示出具备与习用技术有关之强介电体电容器之半导体装置之主要断面图。图10示出具备与习用技术有关之强介电体电容器之半导体装置之另