发明名称 离子植入机之离子源填料改良装置
摘要 一种离子植入机之离子源填料改良装置,系为关于一种半导体界使用的离子植入机之离子源填料改良装置,是将离子植入机之离子源的顶端开一孔,再放置一漏斗,且该漏斗位于蒸发器的正上方,只要取出柱塞及喷嘴,即可在上方填料,改良以往由下方填料的程序者。且该装置可使用于两支或两支以上之蒸发器,以一顶盖覆盖于蒸发器之上,并于顶盖上方开有与蒸发器同数量的孔,透过顶盖上的孔放置漏斗于蒸发器的正上方,如此可同时进行多管的填料作业。
申请公布号 TW238785 申请公布日期 1995.01.11
申请号 TW082216810 申请日期 1993.11.19
申请人 精威机电有限公司 发明人 童拱照
分类号 H01L21/265;H01L21/425 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 顾宪文 台北巿长安东路二段八一号六楼
主权项 1.一种离子植入机之离子源填料改良装置,其系包 括:一 蒸发器的本体,本体内部有一坩锅,在坩锅上方依 序放入 一喷嘴及一柱塞,柱塞上具有螺纹可和本体相螺合 ,喷嘴 贯穿柱塞及离子源本体;一漏斗,系为一中空圆锥 体,用 于将化学药剂填入蒸发器中;其特征在于:将离子 植入机 之离子源顶端的孔加大,可直接把蒸发器中的柱塞 及喷嘴 从上方取出,利用一漏斗之内缘圆锥面来导引倒入 的化学 药剂流到坩锅内,用来简化填料过程者。2.如申请 专利范围第1项所述之离子植入机之离子源填料 改良装置,其中漏斗可装置两支或两支以上之蒸发 器上, 其系以一顶盖覆盖于蒸发器之上,在顶盖上方开有 与蒸发 器同数量的孔,透过顶盖上的孔放置漏斗并于蒸发 器的正 上方,如此可同时进行多管的填料作业。图一为习 用之离 子植入机之离子源上端剖面图;图二为单管蒸发器 之漏斗 立体图;图三为改良后之单管离子植入机离子源上 端剖面 图;图四为双管蒸发器之漏斗立体图;图五A及图五B 为双 管之离子植入机之离子源顶盖与漏斗的俯视图及 侧面剖视 图;图六为改良后之双管离子植入机之离子源上端 剖面图
地址 台北市齐东街二十四号