| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包括:一第1导电型的半导体基板(12);一第1导电型的第1包覆层(16),被配置在该半导体基板上,并由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;一活性层(18),被配置在该第1包覆层上,并由带间隙比该第1包覆层小的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;一第2导电型的第1的第2包覆层(20),被配置在该活性层上,并由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;一第1导电型的电流阻挡层(22),被配置在该第1的第2包覆层上,并且由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成而具有形成电流回路的带状的开口;一第2导电型的缓冲层(26),被配置在该电流阻挡层的面对开口的表面上,并由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;以及一第2导电型的第2的第2包覆层(28),被配置在藉由该缓冲层的对向于该电流阻挡层及该开口的该第1的第2包覆层上,并由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成。2.如申请专利范围第1项所述的半导体雷射装置,其中该电流阻挡层系AlInP系材料,该缓冲层系AlGaAs系材料,而且该第2的第2包覆层系AlGaInP系材料。3.如申请专利范围第2项所述的半导体雷射装置,其中在除了面对该开口的表面的该电流阻挡层的表面和该第2的第2包覆层之间,更包括配置有由GaInP系材料构成的保护层。4.一种半导体雷射装置,包括:一第1导电型的半导体基板;一第1导电型的第1包覆层,被配置在该半导体基板上,并由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;一活性层,被配置在该第1包覆层上,并由带间隙比该第1包覆层小的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成;一第2导电型的第1的第2包覆层,被配置在该活性层上,并由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体形成;一第1导电型的电流阻挡层,被配置在该第1的第2包覆层上,并且由带间隙比该活性层大的由AlInP系材料构成而具有形成电流回路的带状的开口;一保护层,被配置在该电流阻挡层的除了面对该开口表面的表面上,并由GaInP系材料形成;以及一第2导电型的第2的第2包覆层,藉由该保护层而被配置在对向于该电流阻挡层及该开口的该第1的第2包覆层上,并由带间隙比该活性层大的由AlGaInP系材料构成。5.一种半导体雷射装置的制造方法,包括:在第1导电型的半导体基板上,顺次沉积由Ⅲ-Ⅴ族化合物所构成的第1导电型的第1包覆层、由带间隙比该第1包覆层小的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的活性层、由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的第2导电型的第1的第2包覆层、以及被配置在该活性层上的由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的第1导电型的电流阻挡层的制程;形成贯通该电流阻挡层的带状的开口的制程;形成在面对开口的电流阻挡层表面上,由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的第2导电型的缓冲层的制程;以及藉由该缓冲层,将由带间隙比该活性层大的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的第2导电型的第2的第2包覆层形成在该电流阻挡层和对向该开口的该第1的第2包覆层上的制程。图式简单说明:第1图是关于本发明的红色LD的剖面图。第2图是显示关于本发明的MQW构造的剖面图。第3图是显示关于本发明的MQW的能带间隙的示意图。第4图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第5图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第6图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第7图是显示习知的红色LD的穿透式电子显微镜(TEM)照片。第8图是显示关于本发明的红色LD的穿透式电子显微镜(TEM)照片。第9图是关于本发明的红色LD的剖面图。第10图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第11图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第12图是显示在本发明红色LD的制程中的红色LD的剖面图。第13图是关于本发明红色LD的剖面图。第14图是习知的SAS型的红色半导体雷色二极体的剖面图。第15图是显示在一个的制程中的习知红色LD的剖面图。第16图是显示在一个的制程中的习知红色LD的剖面图。第17图是显示在一个的制程中的习知红色LD的剖面图。 |
