矽氧化物和矽氮氧化物之低温淀积法

摘要

本发明系关于自矽有机先质和臭氧形成氧化矽和／或氮氧化矽的低温(即，低于约450℃)化学蒸镀(CVD)和低温原子层淀积(ALD)法。本发明之方法提供良好渐近覆盖。本发明方可用以淀积高k和低k介电物。