发明名称 METODO PARA FABRICAR CIRCUITOS INTEGRADOS DE SILICIURO.
摘要 SE DESCRIBE UN PROCESO DE FORMACION DE SILICIUROS DE METAL CON RESISTENCIA UNIFORME EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SE DEPOSITA UNA CAPA DE METAL, COMO TITANIO, SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICE. LA CAPA DE METAL SE AISLA CON UNA CAPA DE NITRIDO DE TITANIO O DE NITRIDO DE SILICE. LA CAPA AISLANTE IMPIDE LA INTRUSION DE OXIGENO DURANTE UN PROCESO DE CALENTAMIENTO SUBSIGUIENTE. (LA INTRUSION DE OXIGENO ALCANZA INDESEABLEMENTE LA RESISTENCIA DEL SILICIURO). ADEMAS, CUANDO SE USA EL RECOCIDO TERMICO RAPIDO PARA EL CALENTAMIENTO, SE OBTIENE TIPICAMENTE LA UNIFORMIDAD MEJORADA EN EL ESPESOR DEL SILICIURO. LA CAPA AISLANTE PUEDE QUITARSE DESPUES O PUEDE RETENERSE EN ALGUNAS CIRCUNSTANCIAS PARA PROPORCIONAR INTERCONEXIONES LOCALES.
申请公布号 ES2063262(T3) 申请公布日期 1995.01.01
申请号 ES19900303551T 申请日期 1990.04.03
申请人 AT&T CORP. 发明人 LIU, RUICHEN;LU, CHIH-YUAN;PAI, CHIEN-SHING;TSAI, NUN-SIAN
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/285;H01L23/485;H01L21/90;H01L21/320 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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