| 主权项 |
1.一个具可表面黏着功能之单晶微波积体电路封装结构,包含:数个具可表面黏着功能之输出入转接埠,讯号由此数埠进出封装结构;一个提供微波积体电路接地电位之金属面,微波积体电路即置于此金属面上,藉由打线连接封装结构各输出入埠与积体电路间之讯号传输;2.如专利申请范围第1项之封装结构,其输出入转接埠由三部份所构成:基板背面之金属焊接面,其两侧平行之接地金属及其位于基板正面之补偿用接地面为第1部份,该封装结构即藉此部份与外界电路焊接;贯穿基板之狭缝型金属灌孔讯号线及其两侧平行之圆形金属灌孔补偿结构,此为第2部份,该输入讯号即藉此部份从基板背面被引至正面;位于基板正面,宽度向内递减之50共平面波导,此为第3部分,传至基板正面的讯号即藉此部份与单晶微波积体电路之打线衔接;3.如专利申请范围第2项之封装结构,其中输出入转接埠之第1部份,其位于基板背面之金属布局系为共平面波导结构(特性阻抗甚高),位于基板正面两侧延伸之接地金属面系为其杂散电容补偿结构,依此补偿结构,该此第一部份可得50之特性阻抗,并在无需高温精密焊接下,可获具可表面黏着功能;4.如专利申请范围第2项之封装结构,其中输出入转接埠之第2部份,贯穿基板之金属灌孔讯号线系被设计成宽扁形状,以降低其阻抗;再配合位于其两侧之平行接地线,将其特性阻抗补偿至50。5.如专利申请范围第1项之封装结构,其供单晶微波积体电路接地黏着之金属面,由基板正反两面之金属面及连结此二金属面电位之多个圆形金属灌孔所组成,该正面中央金属之面积大小视所欲封装之单晶微波积体电路大小而定。若该金属面愈大,所欲工作频段愈高,则金属灌孔数目亦需愈多。6.一种微波积体电路用之封装结构,包含:基板正面之金属面布局,该面金属系选用金等任何可供打线且化学安定性高为材料,利用厚膜或薄膜或一般蚀刻电路板之法制作而成;基板反面之金属面布局,该面金属系选用银等任何便宜化学安定性高,不易为高温熔锡浸蚀之金属为材料,利用厚膜或薄膜或一般蚀刻电路板法制作而成;基板本身及贯穿基板之侧壁金属及金属灌孔、该基板材质可选用任何一般微波电路板可用之材料,如氧化铝(AlC_2COC_3C)、氮化铝、氧化铍(BeO)、蓝宝石(Sapphire)、绝缘晶体(Crystal)及铁氟龙(Teflon)、PC板(Duroid)等,而该侧壁金属及灌孔金属则不限制,可选用金或银或铜等常用金属。7.如专利申请范围第1项之封装结构,其输入转接埠数不受限制,可依需求增减者;各埠位置及封装结构外型亦系不受限制,可依需求设计者。图1为本封装结构之正面布局图2为本封装结构之背面布局图3为本封装结构之正反面布局全图图4为本封装结构之专属金属封盖图5为本封装结构之单埠详细结构图6为本封装结构之侧视横截面结构图7为本封装结构之侧试电路正反面布局全图图8为本 |
