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1.一种具有极小薄穿透介电层面积之电擦拭及程 式仅读记 忆器之制法,系包括:在第一导电型#区或矽半导体 基材 11上成长一闸氧化层,并经一穿透介电层开窗光罩 及异向 性蚀刻技术形成有一凹槽,再以高浓度第二导电型 杂质离 子植入以形成埋层源极汲极区;接着进行热氧化, 使于凹 槽内再成长闸氧化层,并沈积一耐高温金属材质; 经蚀刻 该耐高温金属材质使凹槽内边角处之闸氧化层露 出,及湿 蚀刻将该露出之闸氧化层完全去除后,再成长一薄 穿透介 电层;然后除去该耐高温金属材质并沈积第一复晶 矽并杂 质掺杂照相,蚀刻后形成悬浮闸;再进行高浓度第 二导电 型杂质离子植入形成源极汲极区,其中部份会与前 述之埋 层源极汲极区结合,接着沈积一中间绝缘层以隔离 悬浮闸 与后述之控制闸;沈积第二复晶矽并杂质掺杂照相 ,蚀刻 后形成控制闸。2.依申请专利范围第1项所述之一 种具有极小薄穿透介电 层面积之电擦拭及程式仅读记忆器装置之制法,其 中耐高 温金属材质系包括铝、钨、钽等,且该耐高温金属 材质之 去除系以硫酸或硝酸为蚀刻溶液。3.依申请专利 范围第1项所述之一种具有极小薄穿透介电 层面积之电擦拭及程式仅读记忆器装置之制法,其 中闸氧 化层之去除系以氢氟酸为蚀刻溶液。4.依申请专 利范围第1项所述之一种具有极小薄穿透介电 层面积之电擦拭及程式仅读记忆器装置之制法,其 中薄穿 透介电层系包括氧化物,氮化物或氧氮化合物,及 中间绝 缘层系由氧化物-氮化物-氧化物三叠层所组合而 成的。5.一种具有极小薄穿透介电层面积之电擦 拭及程式仅读记 忆器之装置,系包含:在第一导电型#区或矽半导体 基材 上形成有一闸氧化层和一穿透介电层开窗光罩经 照相蚀刻 后形成有凹槽及经高浓度第二导电型杂质离子植 入形成之 埋层源极汲极区;凹槽内于边角处成长一薄穿透介 电层, 其余部份为闸氧化层;一填满该凹槽之由第一复晶 矽构成 之悬浮闸;一中间绝缘层以做为悬浮闸与控制闸之 电性隔 离;一由第二复晶矽所构成之控制闸。6.依申请专 利范围第5项所述之一种具有极小薄穿透介电 层面积之电擦拭及程式之仅读记忆器装置,其中薄 穿透介 电层系包含氧化物,氮化物或氧氮化合物。7.依申 请专利范围第5项所述之一种具有极小薄穿透介电 层面积之电擦拭及程式之仅读记忆器装置,其中间 绝缘层 系由-氧化物-氮化物-氧化物三叠层所构成的。图1 为 传统之电擦拭及程式之仅读记忆器装置元件剖面 图。图2 |
