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发明名称
MOS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
JPH06334196(A)
申请公布日期
1994.12.02
申请号
JP19930144237
申请日期
1993.05.24
申请人
NIPPON STEEL CORP
发明人
IWASA SHOICHI
分类号
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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