| 发明名称 |
Dynamic random access memory with voltage stress applying circuit. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0585870(A3) |
申请公布日期 |
1994.11.17 |
| 申请号 |
EP19930113893 |
申请日期 |
1993.08.31 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
OGIHARA, MASAKI |
| 分类号 |
G11C11/407;G01R31/317;G11C11/401;G11C11/403;G11C11/406;G11C29/00;G11C29/06;G11C29/14;(IPC1-7):G11C29/00 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
