| 主权项 |
1.一种雷射结构,其包括:(a)第一传导型之基层;(b) 置 于该基层10上之该第一传导型涂层之ZnC_1-xCMgC_xCSC_ y CSeC_1-yC;(c)置于该第一传导型涂层上之该第一传导 型 导层之ZnSC_zCSeC_1-zC;(d)置于该第一传导型导层上之 ZnC_1-uCCdC_uCSe激活层;(e)置于该激活层上相对于第 一传导型之第二传导型ZnSC_zCSeC_1-zC导层;(f)该第二 传导型之ZnC_1-xCMgC_xCSC_yCSeC_1-yC涂层;(g)其中0 ≦u≦0.4;0≦z≦0.1;0≦x≦1且;0.06≦y≦1,x及y之 选定能使涂层及基层晶格配合。2.根据申请专利 范围第1项之雷射结构,其中该第一传导 型为n而该第二传导型为p。3.根据申请专利范围第 1项之雷射结构,更包括置于该第 二传导型涂层之第二传导型接触层。4.根据申请 专利范围第1项之雷射结构,其中该基层包含 GaAs。5.根据申请专利范围第4项之雷射结构,其中 该GaAs掺杂 有矽。6.根据申请专利范围第1项之雷射结构,其中 至少该涂层 及该导层之一为以C1掺杂成n-型。7.根据申请专利 范围第1项之雷射结构,其中至少该波导 层及该涂层之一以氮掺杂。8.根据申请专利范围 第1项之雷射结构,其中u=0.2,z=0 .06,x=0.1及y=0.1。9.根据申请专利范围第1项之雷射 结构,其中该第一传导 型为p而该第二传导型为n。图1a为依本发明之II/Ⅵ 族雷 射构造之层状结构剖面图且图1b分析了该装置之 近场光输 |
