Procédé de formation de motif fin dans un dispositif à semi-conducteur.

摘要

Dans un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi-conducteur, un photorésist est déposé sur une couche (22) devant être dessinée qui est formée sur un substrat (21), le photorésist est tracé grâce à un processus lithographique afin de former ainsi un motif de photorésist (25), une gravure anisotrope est réalisée sur la structure résultante où le motif de photorésist (25) est formé, afin de former ainsi un sous-produit de gravure (26) sur les parois latérales du motif de photorésist (25) et la couche (22) devant être tracée est gravée en utilisant le motif de photorésist (25) et le sous-produit de gravure (26) comme masque de gravure. Un motif fin peut être formé grâce à un processus très simple et sans augmenter le coût, permettant ainsi une intégration à très grande échelle d'un dispositif à semi-conducteur.