Process for manufacturing a hole structure in a silicium substrate.

摘要

Zur Herstellung einer Lochstruktur (6) in einem Substrat (1) aus n-dotiertem, monokristallinem Silizium wird das Substrat (1) durch elektrochemisches Ätzen von einer ersten Hauptfläche (2) ausgehend mit Poren (4) versehen, die eine Tiefe entsprechend der Tiefe der Lochstruktur (6) aufweisen. Auf der ersten Hauptfläche (2) des Substrats (1) wird eine Maske (5) erzeugt, die den Querschnitt de Lochstruktur (6) parallel zur ersten Hauptfläche (2) definiert. Mit Hilfe einer zu Maske (5) selektiven Ätzung wird die Lochstruktur (6) durch Entfernen des die Seitenwände der von der Maske (5) unbedeckten Poren (4) bildenden Siliziums hergestellt. <IMAGE>