NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE.

摘要

Cellule de mémoire à accès sélectif (RAM) dans du carbure de silicium ayant des temps de mémorisation lorsque toute la polarisation a été éliminée suffisamment longs pour qu'on la considère rémanente. La cellule de mémoire à accès sélectif rémanente (NVRAM) comprend une ligne binaire, un dispositif de stockage de charges dans du carbure de silicium, et un transistor dans du carbure de silicium connectant le dispositif de stockage de charge à la ligne de bit. La cellule NVRAM bipolaire possède un transistor bipolaire avec une région de base, une région émettrice et une région collectrice flottante, le dispositif de stockage de charge dans la mémoire à accès sélectif rémanente bipolaire étant une jonction p-n adjacente à la région collectrice flottante de la cellule. La mémoire à accès sélectif rémanente à semi-conducteur d'oxyde métallique possède un transistor à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde métallique (MOSFET) qui possède une région canal, une région source et une région drain, et le dispositif de stockage de charge dans la mémoire à accès sélectif rémanente à semi-conducteur d'oxyde métallique est un condensateur à semi-conducteur d'oxyde métallique adjacent à la région drain du transistor à effet de champ à semi-conducteur d'oxyde métallique.