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发明名称 FABRICATION OF BURIED LAYERS IN INTEGRATED CIRCUITS
摘要
申请公布号 EP0434182(A3) 申请公布日期 1994.09.14
申请号 EP19900308305 申请日期 1990.07.27
申请人 SAMSUNG SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ZEKERIYA, VIKTOR;CHERUVU, S. MURTY
分类号 H01L21/266;H01L21/74;H01L21/762;H01L21/8222;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/74 主分类号 H01L21/266
代理机构 代理人
主权项
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