发明名称 HIGH TEMPERATURE-SINGLE ELECTRON TUNNELING STRUCTURE
摘要
申请公布号 JPH06241713(A) 申请公布日期 1994.09.02
申请号 JP19930032313 申请日期 1993.02.22
申请人 RES DEV CORP OF JAPAN 发明人 NESHIRO HITOSHI
分类号 G01B7/34;G01Q60/10;H01L29/66;(IPC1-7):G01B7/34 主分类号 G01B7/34
代理机构 代理人
主权项
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