发明名称 Process of making a metallization stage comprising contacts and runners which canneet these contacts.
摘要 Auf ein Substrat (1) wird ganzflächig eine isolierende Schicht (2) aufgebracht, in der Kontaktlöcher (4) zu zu kontaktierenden Bereichen geöffnet werden. Zur Erzeugung einer Leiterbahnmaske (6) wird eine Fotolackschicht aufgebracht, belichtet und so entwickelt, daß in belichteten Bereichen die Oberfläche der zu kontaktierenden Bereiche in Kontaktlöchern (4) mit Fotolack bedeckt bleibt, während die Oberfläche der isolierenden Schicht in den belichteten Bereichen freigelegt wird. Unter Verwendung der Leiterbahnmaske (6) als Ätzmaske werden in die isolierende Schicht (2) Gräben (7) geätzt. Durch Auffüllen der Kontaktlöcher (4) und der Gräben (7) mit Metall werden Kontakte und Leiterbahnen einer Metallisierungsebene fertiggestellt. <IMAGE>
申请公布号 EP0609496(A1) 申请公布日期 1994.08.10
申请号 EP19930117357 申请日期 1993.10.26
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 ZETTLER, THOMAS, DR.;SCHELER, ULRICH
分类号 H01L21/28;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/90 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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