| 发明名称 |
沟型半导体装置 |
| 摘要 |
本创作是一种沟型半导体装置，在沟(TRENCH)结晶面和单元一布置方向之受限制之沟型元件之沟内侧面形成电容器，和电晶体。本创作之目的和效果是可以用来获得可靠度很高之半导体装置，其中沟型元件之设计和制造非常容易，可以使元件特性均一化和稳定化，同时在切片之端点部份不容易产生缺陷，而且在热处理等之制程处理时之应力不会进入到切片之对角线方向。本创作之构造是该沟形成在[100]方向之平行方向或垂直方向，另外一方面，该切片或记忆器单元形成在(01-1)面之平行方向或垂直方向，使电容器和电晶体形成在沟内侧面。 |
| 申请公布号 |
TW227353 |
申请公布日期 |
1994.07.21 |
| 申请号 |
TW081215813 |
申请日期 |
1992.04.08 |
| 申请人 |
三菱电机股份有限公司 |
发明人 |
安江孝夫 |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号白宫企业大楼一一一二室 |
| 主权项 |
一种半导体装置,其特征是使具有主 平面为{100}面之方形之半导体切片之 四周侧面形成在{110}面,另外一方面 其沟型元件之沟内侧面为{100}面,在 该沟内侧面形成电容器和电晶体者。 |
| 地址 |
日本 |
