发明名称 METHOD OF ENHANCING THE WITHSTAND VOLTAGE OF A MULTILAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 EP0419898(A3) 申请公布日期 1994.07.20
申请号 EP19900117012 申请日期 1990.09.04
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SCHULZE, HANS-JOACHIM, DR.;MITLEHNER, HEINZ, DR.
分类号 H01L29/73;H01L21/22;H01L21/263;H01L21/322;H01L21/331;H01L29/74;(IPC1-7):H01L21/332;H01L21/225;H01L21/266;H01L29/32;H01L29/167 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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