| 摘要 |
<p>Laser à semi-conducteurs émettant en surface et à cavité verticale (10), possédant un substrat (12), une couche active (26) d'un matériau semi-conducteur conçu pour produire de la lumière sur une surface du substrat (12), une paire de miroirs (18 et 34) situés à des côtés opposés de la couche active, ainsi que des moyens pour élargir le diamètre du faisceau de sortie. Ces moyens consistent en une couche d'espacement (32) constituée d'un matériau optiquement passif et située entre la couche active (26) et au moins l'un des miroirs (18 ou 34), et des couches miroir présentant une différence réduite d'indice de réfraction, des couches d'interface placées entre les couches miroir et présentant des indices de réfraction intermédiaires, portant dans les deux cas la longueur de cavité optique efficace à au moins 100 fois l'épaisseur du matériau actif dans la couche active (26). Un autre moyen est constitué par un système anti-guide d'ondes (112) qui augmente directement le diamètre du faisceau. La cavité élargie permet un faisceau de sortie de diamètre supérieur tout en maintenant stable l'émission monomode. La couche d'espacement (32) peut être une couche ou une région séparée sur le substrat ou au moins une partie (46) de celui-ci.</p> |
