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发明名称 Eeprom having erasing gate electrode patterns formed to intersect source region patterns and method for manufacturing the same.
摘要
申请公布号 EP0378227(B1) 申请公布日期 1994.06.01
申请号 EP19900100595 申请日期 1990.01.12
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;TOSHIBA MICRO-ELECTRONICS CORPORATION 发明人 TAURA, TADAYUKI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;ASANO, MASMICHI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION;KANEBAKO, KAZUNORI C/O INTELLECTUAL PROP. DIVISION;IWAHASHI, HIROSHI C/O INTELLECTUAL PROP. DIVISION
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C16/02;H01L21/82;G11C11/40;H01L29/78 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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