发明名称 PROCEDE POUR FABRIQUER UNE ELECTRODE METALLIQUE DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR.
摘要
申请公布号 FR2676143(B1) 申请公布日期 1994.05.20
申请号 FR19910016244 申请日期 1991.12.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 BAE, BYUNGSEONG;SOHN, JEONGHA;JANG, INSIK;KIM, SANGSOO;KIM, NAMDEOG;KIM, HYUNGTAEK
分类号 H01L29/40;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/28;H01L23/52 主分类号 H01L29/40
代理机构 代理人
主权项
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