| 发明名称 |
TECHNIQUE FOR IMPROVEMENT OF ESD IMMUNITY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06120494(A) |
申请公布日期 |
1994.04.28 |
| 申请号 |
JP19920013377 |
申请日期 |
1992.01.28 |
| 申请人 |
NATL SEMICONDUCTOR CORP <NS> |
发明人 |
YANGUUCHIYAO IEN |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H02H9/04;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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