| 发明名称 | 半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器，包括由交叉连接的触发器组成的单位存储单元，其中，含有第1存取晶体管、第1驱动晶体管的第1反相器与含有第2存取晶体管、第2驱动晶体管的第2反相器形成一个触发器，含有第1负载元件和第1驱动晶体管的第3反相器与含有第2负载元件和第2驱动晶体管的第4反相器形成另外一个触发器，第1和第2存取晶体管的栅由形成字线导电层以外的不同的导电层形成。由此，可增加布图裕度，并保持常规的设计规则。 | ||
| 申请公布号 | CN1086048A | 申请公布日期 | 1994.04.27 |
| 申请号 | CN93118930.6 | 申请日期 | 1993.10.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金汉洙;金灵台 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/82;H01L21/70 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器，包括由交叉连接的触发器组成的单位存储单元，该存储单元中含有第1存取晶体管、第1驱动晶体管的第1反相器和含有第2存取晶体管、第2驱动晶体管的第2反相器形成第一触发器，含有第1负载元件、第1驱动晶体管的第3反相器和含有第2负载元件、第2驱动晶体管的第4反相器形成另外一个触发器，其中，第1和第2存取晶体管的栅由形成字线导电层以外的不同的导电层形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||