发明名称 Gatestruktur eines Halbleiterbauelementes mit darin enthaltener Oxidschicht.
摘要
申请公布号 DE69007447(D1) 申请公布日期 1994.04.21
申请号 DE19906007447 申请日期 1990.12.19
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 SAKATA, MASANORI,C/O NEC CORPORATION, TOKYO, JP
分类号 H01L21/02;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01R13/52;(IPC1-7):H01L29/60;H01L29/62 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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