Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element,申请号AT19620001456-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element
摘要
申请公布号	AT228276(B)	申请公布日期	1963.07.10
申请号	AT19620001456	申请日期	1962.02.21
申请人	SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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