| 摘要 |
<p>Es wird eine Halbleiteranordnung vorgeschlagen, die einen Halbleiterkörper (10), mehrere, mindestens eine seiner Oberflächen teilweise bedeckende dielektrische Schichten (11, 12) mindestens eine Schicht (13) aus aufgebrachtem polykristallinem Halbleitermaterial und mindestens eine Metallisierung (14) enthält, die auf dem mit den dielektrischen Schichten (11, 12) versehenen Halbleiterkörper (10) derart aufgebracht ist, daß sie an den mit den dielektrischen Schichten nicht bedeckten, als Kontaktflächenbereiche dienenden Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers (10) unmittelbar auf dem Halbleiterkörper aufliegt bzw. auf den als Leiterbahnbereiche dienenden Oberflächenbereichen des Halbleiterkörpers (10) auf mindestens einer der dielektrischen Schichten (11, 12) aufliegt. Innerhalb der genannten Leiterbahnbereiche sind jeweils mehrere Teile mindestens einer Leiterbahn (14), in Abständen sich wiederholend, durch unterlagerte Stege aus der Schicht (13) aus aufgebrachtem polykristallinem Halbleitermaterial angehoben bzw. durch Vertiefungen im Oxid auch abgesenkt, so daß die Metallisierung (14) innerhalb der genannten Leiterbahnbereiche wellig ausgebildet ist.</p> |
