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发明名称 MANUFACTURING METHOD OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR940001056(B1) 申请公布日期 1994.02.08
申请号 KR19860001316 申请日期 1986.02.25
申请人 INTEL CORP. 发明人 BAERG, WILLIAM;SIU, BYRON B.;TING, CHIU H.;TZENG, J.C.
分类号 H01L21/265;H01L21/762;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L29/784;H01L21/336 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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