| 发明名称 |
FORMATION OF LOW INTERFACIAL CONTACT RESISTANCE SEMICONDUCTOR LAYER |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH05343325(A) |
申请公布日期 |
1993.12.24 |
| 申请号 |
JP19920169919 |
申请日期 |
1992.06.05 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
WATANABE NORIYUKI;ITO HIROSHI |
| 分类号 |
H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
