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发明名称 EPITAXIAL GROWTH METHOD OF POLAR SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 JPH05326401(A) 申请公布日期 1993.12.10
申请号 JP19920132774 申请日期 1992.05.25
申请人 FUJITSU LTD 发明人 INOUE RIICHI
分类号 C30B29/40;H01L21/20;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 C30B29/40
代理机构 代理人
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