| 发明名称 | 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺 | ||
| 摘要 | 四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺，属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为M：KTa<SUB>1-X</SUB>Nb<SUB>X</SUB>O<SUB>3</SUB>，X＝0.40—0.52，M是Fe，Cu，Ni，Co，Cr等之一，原料为Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>，Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>和K<SUB>2</SUB>CO<SUB>3</SUB>，掺杂剂占原料总重量的0.1—0.5％，原料和掺杂剂混匀后放入铂坩埚内，置于生长炉中，升温至1300—1400℃化料，然后降温至1250℃左右，采用顶端籽晶法降温生长。本发明工艺条件稳定，晶体容易生长，所得晶体光学性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN1077504A | 申请公布日期 | 1993.10.20 |
| 申请号 | CN93110394.0 | 申请日期 | 1993.04.19 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 王继杨;魏景谦;管庆才;刘耀岗;邵宗书;蒋民华 |
| 分类号 | C30B29/30;C30B9/04 | 主分类号 | C30B29/30 |
| 代理机构 | 山东大学专利事务所 | 代理人 | 孙君;刘旭东 |
| 主权项 | 1、四方相掺杂钽铌酸钾晶体，分子组成为：M∶KTa1-xNbxO3，其特征在于，x=0.40-0.52，室温下是四方相结构，M是下列金属元素之一：(a)Fe，(b)Cu，(c)Ni，(d)Co，(e)Cr，(f)稀土金属元素。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市山大南路27号 | ||